เบ้าหลอมกราไฟท์ SiC

1.เทคโนโลยีขั้นสูง：วิธีการขึ้นรูปที่ใช้คือการขึ้นรูปแบบแรงดันสูงที่มีความเค้นเท่ากันพร้อมไอโซโทรปีที่ดี ความหนาแน่นสูง ความแข็งแรงสูง ความกะทัดรัดสม่ำเสมอ และไม่มีข้อบกพร่อง
2.ความต้านทานการกัดกร่อน: เบ้าหลอมมีช่วงอุณหภูมิ 400-1600°C และสามารถเลือกได้ตามช่วงต่างๆ
3. ความต้านทานต่ออุณหภูมิสูง: วัสดุอนินทรีย์อโลหะที่ใช้มีความบริสุทธิ์สูงและไม่นำสิ่งสกปรกที่เป็นอันตรายเข้าสู่กระบวนการหลอมโลหะ
4. ความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชัน: การใช้สูตรขั้นสูงและวัสดุต้านอนุมูลอิสระที่นำเข้าช่วยเพิ่มความสามารถในการต้านอนุมูลอิสระของวัสดุทนไฟ
ความเสถียรที่อุณหภูมิสูง: SiC มีเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยมและสามารถรองรับอุณหภูมิสูงได้โดยไม่เปลี่ยนรูปหรือแตกร้าวถ้วยใส่ตัวอย่าง SiC สามารถใช้งานได้ที่อุณหภูมิ 1600°C ซึ่งทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูง

ความทนทานต่อสารเคมี: SiC มีความทนทานสูงต่อการโจมตีทางเคมีจากกรดและสารที่มีฤทธิ์กัดกร่อนอื่นๆ ซึ่งทำให้ถ้วยใส่ตัวอย่าง SiC เหมาะสำหรับใช้กับสารเคมีหลากหลายประเภท รวมถึงโลหะหลอมเหลว เกลือ และกรด

ต้านทานการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน: SiC มีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนต่ำ และสามารถต้านทานการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างรวดเร็วโดยไม่แตกร้าวทำให้ถ้วยใส่ตัวอย่าง SiC เหมาะสำหรับการใช้งานที่เกี่ยวข้องกับวงจรการทำความร้อนและความเย็นอย่างรวดเร็ว

การปนเปื้อนต่ำ: SiC เป็นวัสดุเฉื่อยที่ไม่ทำปฏิกิริยากับสารส่วนใหญ่ซึ่งหมายความว่าถ้วยใส่ตัวอย่าง SiC จะไม่ปนเปื้อนวัสดุที่กำลังแปรรูป ซึ่งจำเป็นสำหรับการวิจัยด้านวัสดุศาสตร์และการใช้งานทางอุตสาหกรรม

อายุการใช้งานยาวนาน: ถ้วยใส่ตัวอย่าง SiC มีอายุการใช้งานหลายปีด้วยการดูแลและบำรุงรักษาที่เหมาะสมและเป็นตัวเลือกที่คุ้มค่าเมื่อเทียบกับถ้วยใส่ตัวอย่างประเภทอื่นๆ

ค่าการนำไฟฟ้าสูง: SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีค่าการนำไฟฟ้าสูง และเหมาะสำหรับใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์และเซมิคอนดักเตอร์